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No passado dia 10 de Setembro, a AMD (Advanced Micro Devices) anunciou o desenvolvimento do menor transístor double gate até o momento, tendo utilizado para sua concepção tecnologia standard existente no mercado.

Segundo o comunicado da AMD, este novo transístor é cerca de seis vezes menor do que os menores transístores produzidos actualmente. Deste modo, no mesmo chip que actualmente comporta 100 milhões de transístores, será possível colocar mil milhões destes novos double gate.

Os transístores double gate permitem duas vezes mais corrente eléctrica no transístor, e o seu design FinFet (Fin Field Effect Transistor) baseia-se na utilização de uma fina estrutura vertical de silício que ajuda no controlo de perda de corrente quando o transístor se encontra em seu estado desligado.

Este transístor CMOS FinFet, que possui um tamanho da gate de dez nanómetros, foi desenvolvido pelos laboratórios da AMD em conjunto com a Universidade da Califórnia em Berkeley, com o apoio da Semiconductor Research Corporation.