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A Intel anunciou um novo design para os transístores na International Electron Devices, realizada em Washington. Com este design, os transístores poderão atingir velocidades na ordem dos 1000 GHz e operar a tensões próximas dos 0,6 Volts.

O novo design, denominado transístor Terahertz, é considerado pela Intel como uma evolução dos actuais transístores, utilizando novos materiais isolantes como o caso do dióxido de zircónio. Com a redução das dimensões, os transístores ficam mais rápidos mas também estão mais sujeitos a correntes eléctricas parasitas, além de necessitarem de uma maior tensão para serem ligados.

A utilização do dióxido de zircónio como material isolador reduz o aparecimento de correntes parasitas, e uma consequente redução do consumo energético.

Este design também abordou problemas como a alta capacidade eléctrica, que aumenta a energia necessária para activar o transístor, e a radiação proveniente do ambiente, que injecta electrões directamente no transístor.

O novo design minimiza estes problemas ao colocar o transístor numa camada de material isolador que reduz os efeitos da radiação; e na redução do material condutor à sua volta, que contribui para a redução da capacidade eléctrica.

Estas inovações vêm, mais uma vez, questionar a Lei de Moore, que prevê uma grande dificuldade na construção de um processador com mil milhões de transístores devido ao consumo de energia, um limite que deverá ser atingido em 2007, segundo a lei. Com o novo design, que prevê uma redução no consumo, a possibilidade de ultrapassarmos este limite começa a ser plausível.