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Num projecto conjunto, a Fujitsu e a Toshiba vão desenvolver um novo chip de memória DRAM com 0.11 mícron.

Este projecto teve início em Janeiro de 1999, quando as duas empresas uniram-se para o desenvolvimento de chips com 0.13 mícron. Agora com a participação de uma terceira empresa, a Winbond, vão partir para o desenvolvimento de chips DRAM com tecnologia de 0.11 mícron.

A redução da distancia entre os elementos do circuito electrónico microscópico de 0.13 para 0.11 mícron, permite uma maior capacidade de armazenamento no chip com menores dimensões. As três empresas pretendem começar a fabricação dos chips DRAM de 0.13 mícron com 1 Gigabit de capacidade no fim de 2001, e o de 0.11 mícron (também com 1 Gigabit) em 2002. Além disso, pretendem expandir esta tecnologia de DRAM para outras aplicações como microprocessadores e semicondutores em geral.