A Samsung anunciou o envio de amostras da sua SRAM (Static Random Access Memory) fabricada com a tecnologia de 0,13 mícron, esperando, já para o próximo ano, poder fabricá-la com 0,10 mícron e reduzindo o processo para 0,08 mícron em 2003.

As novas memórias SRAM que, segundo a Samsung, são as primeiras fabricadas com 0,13 mícron, têm uma tensão operacional de 1,8 Volts com uma corrente inferior a 1 micro ampere, conseguindo uma transferência de dados de 55 nano segundos.

Além do menor consumo de energia destas memórias, o novo processo de 0,13 mícron aumentou em 50 por cento a eficiência da produção quando comparada com o anterior processo de 0,15 mícron. Outra vantagem foi a redução em 30 por cento da dimensão dos módulos de memória.

Estas novas memórias SRAM deverão ser utilizadas principalmente nos telemóveis de terceira geração, que terão de lidar com grande quantidade de dados, como áudio e vídeo, onde a velocidade de transferência e conexões rápidas são necessárias para uma excelente performance.

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