A IBM apresentou um transístor mais rápido que os actualmente utilizados. Fabricado com a tecnologia que incorpora germânio para além do silício, o novo transístor consegue uma velocidade de 210 GHz com um consumo inferior aos actuais necessitando de uma corrente de um miliampere.

Este anúncio da IBM aconteceu poucas semanas depois da Intel ter revelado numa conferência no Japão, o que seria o transístor mais rápido até ao momento.

A tecnologia silício-germânio já está a ser desenvolvida há alguns anos pela IBM, sendo que estes tipos de transístores são mais utilizados em telecomunicações como em sistemas de fibra óptica, telefones wireless e em sistemas de medidas. E graças aos últimos avanços, foi conseguida a implementação de transístores com uma espessura na base de 100 a 200 átomos.

A IBM prevê que estes transístores venham a ser utilizados em chips que atinjam velocidades com o dobro das actuais, e que este processo de fabrico evolua de tal forma que evite a utilização de outras composições de materiais para além do silício-germânio.

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